Продукция
Керамические подложки для производства печатных плат на основе алюмооксидной керамики
Стандартные размеры:
со склада: 114.3 x 114.3 x 0.635 мм, 101.6 х 101.6 х 0.635 мм
под заказ: 50.8 х 50.8 мм и 60 x 48 мм с толщинами 1.0, 0.5, 0.38 мм
(Возможна поставка подложек с другими толщинами).
Таблица: Характеристики керамических подложек ВК-100-1 и LH-Tech
| Наименование показателя | ВК-100-1 «поликор» | LH-TECH | |
|---|---|---|---|
|
Содержание Al2O3 |
%, не менее |
99.7 |
99.6 |
|
Прозрачность |
|
П/прозрачная |
П/прозрачная |
|
Плотность кажущаяся |
г/см3, не менее |
3.96 |
≥3.90 |
|
Предел прочности при центрально-симметрическом изгибе |
МПа, не менее |
313.8 |
≥500 |
|
Температурный коэффициент линейного расширения в интервале температур 20...900 °С |
К–1 |
80 x 10–7 |
80 x 10–7 |
|
Относительная диэлектрическая проницаемость в диапазоне частот 8–10 ГГц при 20 °С |
|
9.7 ±0.25 |
9.7 ±0.25 |
|
Тангенс угла диэлектрических потерь в диапазоне частот 9–10 ГГц при 20 °С |
не более |
1 х 10–4 |
1 х 10–4 |
|
Удельное объемное электрическое сопротивление при 150 °С |
Ом x см, не менее |
2 x1014 |
2 x1014 |
|
Шероховатость полированной поверхности Rz |
мкм |
0.05 |
≤0.15 |
|
Шероховатость шлифованной поверхности Ra |
мкм |
1.6 |
≤1.6 |
Таблица:Характеристики керамических подложек Kyocera
| Основные области примененияпоказателя | Толстопленочная технология ИПП | Тонкопленочная технология ИПП | Минимизирование дефектов поверхности при тонкопленочной технологии | ||
|---|---|---|---|---|---|
|
Материал |
Alumina (Al2O3) |
Alumina (Al2O3) |
Alumina (Al2O3) |
Alumina (Al2O3) |
Alumina (Al2O3) |
|
Код материала |
A476 |
A476T |
A493 |
A493H |
A476K |
|
Содержание оксида алюминия |
96% |
96% |
99.6% |
99.6% |
97% |
|
Плотность, г/см3 |
3.70 |
3.78 |
3.86 |
3.96 |
3.70 |
|
Твердость по Виккерсу, ГПа |
13.7 |
13.9 |
16.0 |
17.7 |
13.7 |
|
Предел прочности при изгибе (3-точечный изгиб), МПа |
310 |
380 |
550 |
550 |
350 |
|
Модуль упругости Юнга, ГПа |
330 |
340 |
390 |
390 |
330 |
|
Коэффициент линейного теплового расширения (40...400 °C), х 10–6/K |
7.2 |
7.0 |
7.2 |
7.2 |
7.2 |
|
Теплопроводность, Вт/мК |
26 |
26 |
26 |
30 |
24 |
|
Диэлектрическая прочность, кВ/мм |
12 |
15 |
15 |
18 |
15 |
|
Объемное удельное сопротивление, Ом x см |
>1014 |
>1014 |
>1014 |
>1014 |
>1014 |
|
Диэлектрическая проницаемость (1 МГц) |
9.4 |
9.6 |
9.6 |
10.2 |
9.4 |
|
Угол диэлектрических потерь (1 МГц), x 10–4 |
4.0 |
3.0 |
3.0 |
2.0 |
4.0 |
|
Толщина подложки, мм |
0.1 ~ 1.0 |
0.32 ~ 2.7 |
0.1 ~ 1.0 |
<0.7 |
0.5 ~ 1.0 |
|
Шероховатость поверхности |
Ra0.3 ~0.5 µm |
Ra0.3 ~0.5 µm |
Ra0.05 ~0.08 µm |
<Ra0.01 µm
(Mirror Surface) |
Ra0.2 ~0.3 µm |