Продукция
Материалы для производства полупроводников
Полированные пластины сапфира (монокристаллический корунд)
Выращенный искусственный монокристаллический корунд (сапфир) используется для производства полупроводниковых изделий, светодиодов и фильтров в СВЧ микроэлектронике.
Благодаря менее неоднородной кристаллической решетке и стабильным химическим и физическим свойствам сапфировая пластина (Al2O3) является популярной подложкой для нитридов III-V классов, сверхпроводников и магнитных эпипленок. Они широко используются в производстве GaN и тонкопленочных материалов для эпитаксиального выращивания, кремния на основе сапфира, на рынке светодиодов и в оптической промышленности.
Особенности монокристаллического сапфира:
1. Сапфир обладает высоким коэффициентом оптического пропускания, поэтому он широко используется в качестве диэлектрического материала микроэлектронных трубок, элемента ультразвуковой проводимости, волноводного лазерного резонатора и других оптических элементов, а также в качестве оконных материалов для инфракрасных устройств, космических аппаратов, лазеров высокой интенсивности и оптических средств связи.
2. Сапфир обладает высокой жесткостью, высокой прочностью, высокой рабочей температурой, абразивной стойкостью, коррозионной стойкостью, поэтому сапфировая подложка часто используется в суровых условиях, таких как датчики уровня воды в котле (устойчивость к высоким температурам), в сканерах товарных штрих-кодов, подшипниках и других прецизионных производствах (износостойкость), в датчиках обнаружения газа, скважин и окнах детекторов (антикоррозийные).
3. Сапфир обладает такими характеристиками, как электрическая изоляция, прозрачность, хорошая теплопроводность и высокая жесткость, поэтому его можно использовать в качестве материала подложек интегральных схем, таких как светодиоды и микроэлектронные схемы, сверхскоростные интегральные схемы.
Стандартные сапфировые подложки (спецификация):
standard sapphire wafers (c-plane)
| Сапфировые пластины | 1-inch C-plane(0001) толщиной 430 мкм | 2-inch C-plane(0001) толщиной 430 мкм | 3-inch C-plane(0001) толщиной 500 мкм | 4-inch C-plane(0001) толщиной 650 мкм |
|---|---|---|---|---|
|
Диаметр |
25.4 mm +/- 0.1 mm |
50.8 mm +/- 0.1 mm |
76.2 mm +/- 0.1 mm |
100.0 mm +/- 0.1 mm |
|
Толщина |
430 μm +/- 25 μm |
430 μm +/- 25 μm |
500 μm +/- 25 μm |
650 μm +/- 25 μm |
|
TTV |
< 5 μm |
< 10 μm |
< 15 μm |
< 20 μm |
|
BOW |
< 5 μm |
< 10 μm |
< 15 μm |
< 20 μm |
|
WARP |
< 5 μm |
< 10 μm |
< 15 μm |
< 20 μm |
| Сапфировые пластины | 5-inch C-plane(0001) толщиной 650 мкм | 6-inch C-plane(0001) толщиной 1300 мкм | 8-inch C-plane(0001) толщиной 1300 мкм |
|---|---|---|---|
|
Диаметр |
125.0 mm +/- 0.1 mm |
150.0 mm +/- 0.2 mm |
200.0 mm +/- 0.2 mm |
|
Толщина |
650 μm +/- 25 μm |
1300 μm +/- 25 μm |
1300 μm +/- 25 μm |
|
TTV |
< 20 μm |
< 25 μm |
< 30 μm |
|
BOW |
< 20 μm |
< 25 μm |
< 30 μm |
|
WARP |
< 20 μm |
< 25 μm |
< 30 μm |
Характеристики:
| Состав | 99,999%, High Purity, Monocrystalline Al2O3 |
|---|---|
|
Класс |
Prime, Epi-Ready |
|
Ориентация поверхности |
C-plane(0001) C-plane off-angle toward M-axis 0.2 +/- 0.1° |
|
Одностороння полировка (SSP) Лицевая сторона Тыльная сторона |
Epi-полировка, Ra < 0.2 nm (by AFM) Шлифовка, Ra = 0.8 μm to 1.2 μm |
|
Двустороння полировка (DSP) Лицевая сторона Тыльная сторона |
Epi-полировка, Ra < 0.2 nm (by AFM) Epi-полировка, Ra < 0.2 nm (by AFM) |
|
Класс чистоты / Упаковка |
Класс чистоты 100, вакуумная упаковка 25 штук в одной упаковке или поштучно. |